ФРАСТ-М : Выдержки из протоколов испытания


	Новости \| Технология \| Продукция \| Услуги \| Цены \| О компании \| Потребители	Поиск \| Ссылки \| Форум

ОАО "Морион" г. С.Петербург

Испытания производились на участке фотолитографии ОАО "Морион"

Запущено три партии изделий с разными требованиями.

Использовался фоторезист ФП-М-09В

Данный фоторезист соответствовал заявленным характеристикам и выдержал все фотохимические процессы, что обеспечило изготовление изделий в соответствие с допусками указанными в чертежах.

Вывод:

Фоторезист ФП-М-09В соответствует предъявляемым требованиям и может использоваться в нашем производстве.

НПК СВЧ г. Пермь

Цель работы: Опробования новых фоторезистов ФП-М-09А и ФП-М-09С в качестве замены используемых фоторезистов.

В процессе работы опробовались и проверялись различные эксплуатационные свойства фоторезистов. Исследования проводились на тестовых пластинах арсенида галлия с нанесенным диэлектрическим покрытием SiO₂ и без него. Операции подготовки подложек, нанесение (3500 об/мин), сушки (t=86 ⁰C, 20 мин), экспонирования (25-45 с) и проявления (20-30 мин в 0,6% КОН) проводились по стандартной технологии.

Адгезия к структурам при имеющихся климатических условиях соответствующих ОСТ 143302-87 хорошая. Образованные фоторезистом пленки получены без разрывов, проколов и отслаиваний.
Толщина полученных пленок фоторезистов соответствует заявленной производителем для ФП-м-09А - 1 мкм, для ФП-М-09С - 2 мкм
Задубливание проводилось в конвекционном шкафу при температурах от 110⁰С и 140⁰С.
Исследовалось влияние агрессивных сред на получение маски фоторезистов. Данные фоторезисты выдерживают травление пленки SiO₂ в буферном травителе содержащем плавиковую кислоту без задубливания пленки фоторезистов. Так же полученные пленки, при соответствующем техническому процессу термозадубливании, выдерживают агрессивные среды травителей для арсенида галлия на основе перекиси водорода и щавелевой кислоты, а так же травления диэлектрического слоя в установке плазмохимического травления. Задубленный фоторезист выдерживает среду соляной кислоты.
В качестве снимателя масок использовался СПР-01Ф. Фоторезист снялся быстро, качественно, без остатков.

Вывод:Опробование показало, что данные фоторезисты удолетворяют всем требованиям технологического процесса, и могут быть использованны в производстве полупроводниковых приборов.

ЗАО "НИТИ-Авангард" г. С.Петербург

Фоторезисты ФП-М-09В и ФП-М-09С были использованы при изготовлении 2-х партий тонкопленочный плат на подложках ситалла СТ-50 с минимальными размерами элементов 200 мкм и структурой: хром-медь-никель толщиной ~ 2,5 мкм.

В процессе работы экспериментально подобраны режимы экспонирования, проявления и дубления (использовался 0,6% КОН).

Фоторезистивная маска устойчива к применяемым на участке травителям (смесь кислот в горячем состоянии).

Удаление фоторезистивной маски проводили в смеси диметилформамида и моноэтаноламина при температуре 50 ⁰C в течение 2-х минут.

Выводы:

Фоторезисты ФП-М-09В и ФП-М-09С могут быть использованы для изготовления рисунка плат.
Для определения возможности использования данных фоторезистов в качестве защитного слоя необходимо проведение типовых испытаний.

ОАО Фрязинский Завод Мощных Транзисторов г. Фрязино

Сообщаем, что нами был получен фоторезист ФП-М-09В в количестке 0,5 кг.

Опробывание проводилось на фотолитографии по SIO ₂.

Качество фотолитографии полностью соответствовало требованиям контрольной карты.

Омский НИИ приборостроения г. Омск

Были изготовлены микросборки и фильтры на поверхностных акустических волнах с шириной линий от 5 мкм до 200 мкм. Результаты удолетворительные по геометрическим и электрическим параметрам при использовании фоторезиста ФП-М-09А, с некоторой коррекцией технологических режимов, не увеличивающей трудоемкость.

Госкорпорация "Росатом", ФГУП НИИ импульсной техники

На испытании опробован фоторезист ФП-М-09С.

Оценка - положительная

ЗАО НПЦ "Алмаз-Фазатрон" г. Саратов

Фоторезист ФП-М-09В был опробован в стандартном (первая термообработка 90 ⁰C - 30 мин., вторая термообработка 130 ⁰C - 15 мин.) маршруте изготовления звукопроводов с минимальным размером элемента 1,0-2,0 мкм. Замечено улучшение адгезии пленки фоторезиста к пленке алюминия (0,1 мкм), что позволило снизить величину подтрава алюминия под пленку фоторезиста на 0,1-0,2 мкм.

ЗАО "НПП "Планета-Аргалл" г. В. Новгород

Предложенные Вами фоторезисты ФП-М-09В и ФП-М-09С были опробованы для контактной фотолитографии в стандартных режимах согласно технологической документации.

Для проявления фоторезистов использовался проявитель УПФ-1Б, разбавленный в соотношении 1:3 .Качество проявленого рельефа соответствует требованиям ТД. Режим задубливания в две стадии по 15 минут (110 ⁰C + 120 ⁰C) обеспечивает травление металлов (золото, ванадий, милибден) с хорошей адгезией фоторезистов и стойкости к травителям.

ОАО "Октава" г. Новосибирск

Целью испытания являлось выявление возможности использования фоторезиста ФП-М-09А при изготовлении кристаллов GaAs на технологической линейке предприятия.

Испытания фоторезиста проводилось на пробных партиях с имитацией технологии изготовления кристаллов. Выяснилось, что фоторезист ФП-М-09А обладает хорошей адгезией как к арсениду галия, нанесенным металлическим пленкам, так и к диэлектрику SiO₂ (с использованием адгезива), стоек к травителям металлов и к травлению двуокиси кремния, к травителю GaAs. Обладает достаточной разрешающей способностью, позволяет формировать элементы размером 1-2 мкм. Фоторезист ФП-М-09А устойчив к воздействию проявителя (как к 1% раствору КОН так и к УПФ-1Б), при термообработке до 150 ⁰C не наблюдается оплывание маски и искажения геометрии изображения. Маска из фоторезиста ФП-М-09А с двух ступеньчатой термообработкой выдерживает электрохимическое наращивание золота из фосфатного электролита до 7 мкм при t = 65-75 ⁰C. Толщина маски фоторезиста позволяет использовать его при формировании омических контактов по "взрывной" технологии с подслоем SiO₂.

Вывод: Фоторезист ФП-М-09А при проведении испытаний показал себя положительно, может быть использован в качестве замены фоторезиста S 1813, применяемого в нашей технологии. Для введения в документацию необходимы ТУ на данный фоторезист.

ОАО "НИИФИ" г. Москва

Цель работы:

Изучение свойств нового жидкого фоторезиста марки ФП-М-09С производства фирмы ЗАО "Фраст-М"
Экспериментальные работы по исследованию возможности и целесообразности применения фоторезиста марки ФП-М-09С в технологии изготовления деталей датчиковой аппаратуры на предприятии
Выдача рекомендаций по использованию нового фоторезиста марки ФП-М-09С производства фирмы ЗАО "Фраст-М"

Объект исследования:

Для проведения исследований фоторезиста жидкого для микроэлектроники были взяты информационное письмо N 697 от 16.02.2009 г. ЗАО "Фраст-М", протокол испытаний, краткая инструкция по применению фоторезиста ФП-М-09С и существующая технология на предприятии ОАО "НИИФИ".

Испытаниям подвергался фоторезист ФП-М-09С.

В технологии формирования схем с помощью метода прямой фотолитографии и комбинированного метода при изготовлении изделий микроэлектроники на нашем предприятии применяются позитивные фоторезисты ФП-383, ФП-9120, ФП-25. Сравнительные характеристики, применяемых и испытуемого фоторезиста указаны в табл. 1.

Таблица 1

Сравнительная характеристика применяемых на нашем предприятии фоторезистов (ФП-25, ФП-9120, ФП-383)и нового фоторезиста (ФП-М-09С).

N п/п	Технологические параметры	Марка позитивного фоторезиста
N п/п	Технологические параметры	ФП-25	ФП-9120	ФП-383	ФП-М-09С
1	Толщина пленки, мкм	6,0-8,0	0,8-2,0	1,0-1,1	1,9-2,1
2	Кинематическая вязкость при 20 ⁰C	52-75	13-17	6-6,5	21-41
3	Разрешающая способность, в мкм, не более	20,0	2,0	0,4	1,2
4	Метод нанесения	центрифугирование
5	Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин, не менее	14,0	-	3,0	>60
6	Проявитель	0,8 % раствор КОН в воде	0,5 % раствор КОН в воде	0,5 % раствор КОН в воде	УПФ-1Б, разбавление 1/3
7	Цена, руб.	5290,00	1590,00	3590,00	1180,00

Анализируя таблицу, видим что, новый фоторезист ФП-М-09С в сравнении с применяемыми на нашем предприятии фоторезистами ФП-383, ФП-9120 имеет высокую кинематическую вязкость, высокую разрешающую способность, повышенную устойчивость фоторезиста к проявителю, имеет более низкую стоимость, что имеет важное значение при закупке его для работы.

Результаты проведенных работ.

Фоторезист фирмы "Фраст-М" марки ФП-М-09С подвергся испытанию на подложках из разных материалов. Результаты исследований представлены в таблице 2.

Таблица 2

Сравнительная характеристика применяемых на нашем предприятии фоторезистов (ФП-25, ФП-9120, ФП-383) и нового фоторезиста (ФП-М-09С).

N п/п	Виды работ	Вид подложки	Порядок и результат исследования
1	Воспроизводимость геометрических размеров получаемых структур в производстве ГИС, тензопреобразователей и термокомпенсационных резисторов, а также гибких кабелей.	Ситалл Ст 50-1-1-006 ПТКЖ 431431003 ТУ Стекло ЛК-105 ГОСТ 3514-94 Фольга НМЦ-40-1,75 ТУ 48-0820-417-91 Фольга НМ 23ХЮ ТУ 14-1-2927-80 ЭФН-5 (никель) ЫУО.023.090 ТУ Полиимид фольгированный ПФ 1-35-0,1 ТУ 16-503.208-81	1. Нанесение фоторезиста - центрифугирование скорость вращения: V = 2000 об/мин V = 3000 об/мин Т = 45 сек 2. Предварительная сушка (установка УСПФ-1): t = 150 ⁰С, Т = 1 мин. 3. Экспонирование (фотошаблоны эмульсионные), освещенность √ 22000 ЛК, Т = 50 сек. 4. Проявление (0,5 % р-р KOH): Т = 5-12 сек. 5. Дубление (установка УСПФ) t = 150 ⁰C, Т = 2 мин. 6. Травление (кислотные травители на основе серной, соляной, азотной кислот). Боковой подтрав √ 15 мкм. 7. Снятие фоторезиста: 1.моноэтаноламин с помощью ватного тампона; 2. снятие фоторезиста путем экспонирования подложки и обработка ее в 0,5 % р-ре КОН
2	Для реализации фотолитографических процессов на подложках с рельефом.	Стекло КУ-1 ГОСТ 15130-86; Стекло ЛК-105 ГОСТ 3514-94	Работа проведена по существующей на предприятии технологии. Фоторезист ФП-М-09С хорошо проявляется, устойчив к кислотным травителям, хорошо снимается с подложки после проведения фотолитографических процессов.
3	Сохранение профиля рисунка при плазмохимическом травлении	Лента 36НХТЮ ГОСТ 14117-85	При центрифугировании V = 2000 об/мин, V = 3000 об/мин по краю подложки образуется большой валик из-за большой вязкости фоторезиста. Схема на фоторезисте располагается близко к краю, что затрудняет проводить фотолитографические процессы. Фоторезистивная маска выдерживает плазмохимическое травление.
4	Получение рисунка схемы в производстве прокладок, сеток, мембран, пружин	Лента 79 НМ ГОСТ 10160-75; Лента 12х18М10Т ГОСТ 4986-79; Лента 36НХТЮ ГОСТ 14117-85	Получены годные, хорошего качества пружины, изготовленные по существующей технологии на нашем предприятии.
5	Глубинное травление кремния	Кремний 1_{а2 км} КЭФ 4,5/7,5-60 ТУ 48-4-295-82 Кремний ЭКДБ-0,03-4_ак1мГОСТ 19658-81	1. Очистка по существующей технологии 2. Нанесение фоторезиста: 1 пл. с напыленным Al 1 пл. с окислом V = 2000 об/мин. (с планарной стороны) V = 3000 об/мин. ( с непланарной стороны) 3. Проявление: 0,5 % р-р КОН Ширина дорожки на фотошаблоне - 48 мкм Ширина дорожки на пластине с нанесенным фоторезистом (с обеих сторон) - 48 мкм. Ширина дорожки на фотошаблоне √ 11 мкм. Ширина дорожки на пластине с окислом (с обеих сторон) - 11 мкм. 4. Травление: травитель на основе фосфорной, азотной, уксусной, плавиковой кислот. После травления алюминия боковой подтрав: 0,7 √ 1,0 мкм; край четкий, ровный; адгезия фоторезиста к подложке хорошая. Формирование маски из окисла с последующим анизотропным травлением h = 130 мкм (травление на глубину 5-6 мкм фоторезист выдерживает, а на большую глубину √ рвется по ступеньке).
6	Гальваническое осаждение металлов	Кремний 1_{а2 км} КЭФ 4,5/7,5-60 ТУ 48-4-295-82 Кремний ЭКДБ-0,03-4_ак1мГОСТ 19658-81	Наблюдаются отдельные зарастания меди через поры в фоторезисте, что не обеспечивает 100 % защиту напыленной пленки.
7	Анизотропное травление кремния на установке "Плазмоком-203М"	Кремний 1_{а2 км} КЭФ 4,5/7,5-60 ТУ 48-4-295-82 Кремний ЭКДБ-0,03-4_ак1м ГОСТ 19658-81	Фоторезистивная маска выдерживает анизотропное травление.
8	Реактивное ионно-плазменное травление тонких пленок на установке ETCHLAB-200	Ситалл Ст 50-1-1-006 ПТКЖ 431431003 ТУ с напыленным слоем тонкий пленки из сплавов П65ХС и Х20Н75Ю. Чувствительные элементы датчиков.	Травление тонкой пленки из сплавов П65ХС и Х20Н75Ю проводили по режимам: O₂ √ 20 %; CF₄ √ 35 %; T =10 мин. Фоторезистивная маска выдерживает травление.
9	Реактивное ионно-плазменное травление полиимидной пленки на установке ETCHLAB-200	Полиимид фольгированный ПФ 1-35-0,1 ТУ 16-503.208-81	При травлении полиимидной пленки получен отрицательный результат.

Таким образом, результаты исследований показали, что при нанесении фоторезиста ФП-М-09С путем центрифугирования (скорость вращения 2000, 3000 об/мин), получен тонкий слой фоторезистивной маски темно-красного цвета с гладкой, блестящей, без радиальных полос, с хорошей адгезией пленку с минимальным количеством дефектов (проколов). Локальная разнотолщинность не превышает 10 мкм, с разрешающей способностью фоторезиста 1,2 мкм.

Экспонирование осуществляли контактным способом с помощью лампы ДРШ-500, время экспонирования 0,8-2 мин.

Проявление проводили в 0,5 % р-ре КОН, в проявителе УПФ-1Б для позитивных фоторезистов.

Контроль внешнего вида с помощью микроскопа МБС-9 увел. 16×56 показал, что проявление хорошее. Остатков фоторезиста с облученных участков фоторезистивного слоя нет. Набухание необлученных участков слоя фоторезиста отсутствует. Перетрава не наблюдается. Край сформированных структур четкий, ровный.

Травление металлической пленки проводили в травителях на основе кислот (серной, соляной, азотной, уксусной, плавиковой). Фоторезистивная маска является стойкой к жидкостным травителям. Боковой подтрав минимальный. Фоторезист полностью снимается с подложки после проведения фотолитографического процесса в диметилформамиде, толуоле, снимателе СПФ-01Ф.

Формирование маски из окисла, с последующим анизотропным травлением h = 130 мкм (травление на глубину 5-6 мкм фоторезистивная маска имеет хорошую защиту, а травление на большую глубину фоторезист рвется по ступенке. Следовательно, при травлении на глубину более 6 мкм необходимо пользоваться фоторезистом другой марки).

При гальваническом осаждении металла наблюдаются отдельные зарастания через поры в фоторезистивной маске. Следовательно, 100 %-ой защиты при гальванических процессах у фоторезиста ФП-М-09С нет. Необходимо для проведения гальванического осаждения металлов пользоваться другими марками фоторезистов, например, ФП-27-18БС.

По п.п. 8, 9 программы N 99/600 от 30.04.2009г. проведены пробные работы по травлению П65ХС и Х20Н75Ю на установке ETCHLAB-200. Фоторезистивная маска выдерживает травление в течение 10 мин, но металл и полиимидная пленка не травятся. Следовательно, требуется дополнительная отработка травления этих материалов на установке ETCHLAB-200.

Выводы:

Полученные результаты испытаний показали, что фоторезист фирмы ЗАО "Фраст-М" марки ФП-М-09С обладает хорошей чувствительностью (степень полимеризации в зависимости от действия света), кислотостойкостью (способность противостоять действию кислот) и разрешающей способностью (число четко различимых линий, которые фоторезист позволяет создавать на 1мм длины).

Следовательно, фоторезист ФП-М-09С можно рекомендовать для проведения основного количества фотолитографических операций на предприятии ОАО "НИИФИ" по существующей технологии.

Полученная фоторезистивная маска методом центрифугирования по существующей технологии на ОАО "НИИФИ" обеспечивает точное воспроизведение топологического рисунка схемы и является:

стойкой к жидкостным травителям, ионно-химическому, ионно-плазменному травлению;
полностью снимаемой с подложки после проведения фотолитографического процесса.

Заключение:

Полученные результаты испытаний показали, что фоторезист фирмы ЗАО "Фраст-М" марки ФП-М-09С можно рекомендовать для проведения отдельных операций фотолитографии на предприятии ОАО "НИИФИ" по существующей технологии.


	Реклама на серверах микроэлектроники

(с) 1999-2001 ЗАО "ФРАСТ-М"
(p) 1999-2001 COMPNET Network